新華社西安5月17日電（記者李華、薛天）記者近日從位于西安高新區(qū)的三星（中國）半導(dǎo)體有限公司采訪了解到，三星半導(dǎo)體高端存儲芯片二期項目總投資將超過140億美元。二期項目已于2018年3月開工建設(shè)，預(yù)計今年7月份建成，2020年一季度實現(xiàn)量產(chǎn)。
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在采訪中說，三星半導(dǎo)體的存儲芯片二期項目分為兩個階段，第一階段投資70億美元，第二階段詳細計劃還未出爐，但預(yù)計會超過70億美元，總投資將超過140億美元。
2012年，西安高新區(qū)成功引進三星電子存儲芯片項目，生產(chǎn)“V－NAND”閃存芯片。一期項目于2014年5月竣工投產(chǎn)。“一期項目計劃投資70億美元，實際總投資超過了100億美元?！背刭t基說。
據(jù)介紹，直接在中國生產(chǎn)“V－NAND”閃存芯片，將使三星更有效率地應(yīng)對市場的變化和顧客的需求。池賢基說，三星半導(dǎo)體繼續(xù)投建二期項目，表示他們對中國經(jīng)濟很有信心。